单 FET，MOSFET

结果 : 2
漏源电压（Vdss）
20 V400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120mA（Tj）530mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V2V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.3 欧姆 @ 500mA，5V25 欧姆 @ 120mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 20 V300 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
供应商器件封装
TO-92-3TO-92（TO-226）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN0702N3-G
MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
Microchip Technology
2,240
现货
1 : ¥12.48000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
530mA（Tj）
2V，5V
1.3 欧姆 @ 500mA，5V
1V @ 1mA
±20V
200 pF @ 20 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
DN2540N3-G
MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
Microchip Technology
723
现货
1 : ¥7.96000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
120mA（Tj）
0V
25 欧姆 @ 120mA，0V
-
±20V
300 pF @ 25 V
耗尽模式
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92（TO-226）
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。