单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™CoolMOS™ P7MDmesh™MDmesh™ K5MDmesh™ M6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）11A（Tc）12A（Tc）25A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 12.5A，10V250 毫欧 @ 5A，10V400 毫欧 @ 5.5A，10V445 毫欧 @ 6A，10V450 毫欧 @ 4.5A，10V450 毫欧 @ 7.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 220µA3.9V @ 680µA4.75V @ 250µA5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V22 nC @ 10 V24 nC @ 10 V33.4 nC @ 10 V43.6 nC @ 10 V85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 100 V770 pF @ 500 V800 pF @ 100 V1515 pF @ 100 V1600 pF @ 100 V1630 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
29W（Tc）30W（Tc）35W（Tc）57W（Tc）150W（Tc）156W（Tc）230W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1PG-TO220-3-FPPowerFlat™（5x6）HVTO-220TO-220FPTOLL（HV）
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerVDFNTO-220-3TO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
SPP11N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Infineon Technologies
2,683
现货
1 : ¥23.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
11A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 7.1A，10V
3.9V @ 680µA
85 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 100 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-220-3
STP11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
STMicroelectronics
693
现货
1 : ¥50.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
11A（Tc）
10V
400 毫欧 @ 5.5A，10V
5V @ 250µA
43.6 nC @ 10 V
±30V
1630 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-F
STF14N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STMicroelectronics
758
现货
1 : ¥15.68000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
12A（Tc）
10V
445 毫欧 @ 6A，10V
5V @ 100µA
22 nC @ 10 V
±30V
620 pF @ 100 V
-
30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220FP
STF11NM80
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
STMicroelectronics
963
现货
1 : ¥50.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
11A（Tc）
10V
400 毫欧 @ 5.5A，10V
5V @ 250µA
43.6 nC @ 10 V
±30V
1630 pF @ 25 V
-
35W（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3-Full-Pack
IPAN80R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31
Infineon Technologies
372
现货
1 : ¥17.08000
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
11A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 4.5A，10V
3.5V @ 220µA
24 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 500 V
-
29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-FP
TO-220-3 整包
TOLL (HV)
STO33N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A TOLL
STMicroelectronics
78
现货
1 : ¥37.93000
剪切带（CT）
1,800 : ¥19.61400
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
25A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 12.5A，10V
4.75V @ 250µA
33.4 nC @ 10 V
±25V
1515 pF @ 100 V
-
230W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TOLL（HV）
8-PowerSFN
MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
STL22N60M6
MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
3,000 : ¥11.09019
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
10A（Tc）
10V
250 毫欧 @ 5A，10V
4.75V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±25V
800 pF @ 100 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）HV
8-PowerVDFN
显示
/ 7

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。