单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
HEXFET®OptiMOS™ 5PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
75 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta），80A（Tc）300A（Tj）375A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 100A，10V2.3 毫欧 @ 96A，10V9 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 275µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V216 nC @ 10 V300 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6000 pF @ 25 V12222 pF @ 25 V16011 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.3W（Ta），125W（Tc）310W（Tc）375W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DirectFET™ 等距 L8PG-HDSOP-16-2TO-247-3
封装/外壳
16-PowerSOP 模块DirectFET™ 等距 L8TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IAUS300N08S5N012TATMA1
IAUS300N10S5N015TATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A HDSOP-16-2
Infineon Technologies
2,211
现货
1 : ¥57.96000
剪切带（CT）
1,800 : ¥32.88816
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tj）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 275µA
216 nC @ 10 V
±20V
16011 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HDSOP-16-2
16-PowerSOP 模块
DIRECTFET L8
AUIRF7759L2TR
MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Infineon Technologies
9,660
现货
1 : ¥73.81000
剪切带（CT）
4,000 : ¥39.24030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
375A（Tc）
10V
2.3 毫欧 @ 96A，10V
4V @ 250µA
300 nC @ 10 V
±20V
12222 pF @ 25 V
-
3.3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DirectFET™ 等距 L8
DirectFET™ 等距 L8
TO-247-3 AD EP
FDH3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
onsemi
428
现货
44,100
工厂
1 : ¥39.74000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Ta），80A（Tc）
6V，10V
9 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。