单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemi
系列
HEXFET®HiPerFET™, TrenchT2™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
40 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Ta），49A（Tc）180A（Tc）360A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 25A，10V4 毫欧 @ 60A，10V4.3 毫欧 @ 110A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 10 V130 nC @ 4.5 V715 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7205 pF @ 20 V11360 pF @ 50 V47500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），104W（Tc）370W（Tc）1670W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）TO-220ABTO-264AA（IXFK）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3TO-264-3，TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS8460
MOSFET N-CH 40V 25A/49A 8PQFN
onsemi
22,042
现货
1 : ¥22.74000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.24083
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
25A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
7205 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
TO-220AB PKG
IRLB4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Infineon Technologies
9,095
现货
1 : ¥30.46000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
180A（Tc）
4.5V，10V
4.3 毫欧 @ 110A，10V
2.5V @ 250µA
130 nC @ 4.5 V
±16V
11360 pF @ 50 V
-
370W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-264
IXFK360N15T2
MOSFET N-CH 150V 360A TO264AA
Littelfuse Inc.
297
现货
1 : ¥253.27000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
360A（Tc）
10V
4 毫欧 @ 60A，10V
5V @ 8mA
715 nC @ 10 V
±20V
47500 pF @ 25 V
-
1670W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-264AA（IXFK）
TO-264-3，TO-264AA
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。