单 FET,MOSFET

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
100 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
48A(Ta)48A(Tc)101A(Ta)102A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.8毫欧 @ 50A,5V3.1 毫欧 @ 32A,5V3.8 毫欧 @ 25A,5V6 毫欧 @ 15A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 14mA2.5V @ 5mA2.5V @ 7mA2.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
13.8 nC @ 5 V16.3 nC @ 5 V23 nC @ 5 V24 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2103 pF @ 75 V2366 pF @ 50 V3195 pF @ 100 V3200 pF @ 50 V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2308ENGRT
EPC2308ENGRT
TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
EPC
50,467
现货
1 : ¥51.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥27.51521
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
150 V
48A(Tc)
5V
6 毫欧 @ 15A,5V
2.5V @ 5mA
13.8 nC @ 5 V
+6V,-4V
2103 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
EPC2306ENGRT
EPC2306ENGRT
TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
EPC
5,478
现货
1 : ¥52.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥20.52451
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
48A(Ta)
5V
3.8 毫欧 @ 25A,5V
2.5V @ 7mA
16.3 nC @ 5 V
+6V,-4V
2366 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
64,996
现货
1 : ¥54.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥30.13009
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
101A(Ta)
5V
1.8毫欧 @ 50A,5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V,-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
EPC2304ENGRT
EPC2304ENGRT
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
EPC
20,953
现货
1 : ¥69.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥36.71239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
200 V
102A(Ta)
5V
3.1 毫欧 @ 32A,5V
2.5V @ 8mA
24 nC @ 5 V
+6V,-4V
3195 pF @ 100 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
显示
/ 4

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。