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FET、MOSFET 阵列
结果 : 4
制造商
系列
包装
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
供应商器件封装
库存选项
环境选项
媒体
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4结果
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Sort By: 精选
比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压（Vdss） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 756,406 现货 993,000 工厂 | 1 : ¥2.30000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.63624 卷带（TR） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 P 沟道（双） | 逻辑电平门 | 20V | 1.03A | 750 毫欧 @ 430mA，4.5V | 1V @ 250µA | 0.62nC @ 4.5V | 59.76pF @ 16V | 530mW | -55°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | SOT-563，SOT-666 | SOT-563 | |
 | 7,176 现货 | 1 : ¥2.79000 剪切带（CT） 4,000 : ¥0.57140 卷带（TR） | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 P 沟道（双） | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 | 20V | 250mA（Ta） | 1.4 欧姆 @ 150mA，4.5V | 1V @ 100µA | - | 42pF @ 10V | 150mW（Ta） | 150°C | 表面贴装型 | SOT-563，SOT-666 | ES6 | ||
| 89,763 现货 | 1 : ¥2.87000 剪切带（CT） 4,000 : ¥0.58372 卷带（TR） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 N-通道（双） | 逻辑电平门 | 30V | 100mA | 4 欧姆 @ 10mA，4V | 1.5V @ 100µA | - | 8.5pF @ 3V | 150mW | 150°C（TJ） | 表面贴装型 | SOT-563，SOT-666 | ES6 | |
| 51,729 现货 708,000 工厂 | 1 : ¥3.61000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.98462 卷带（TR） | - | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET（金属氧化物） | 2 个 P 沟道（双） | 逻辑电平门 | 20V | 530mA | 900 毫欧 @ 430mA，4.5V | 1V @ 250µA | - | 175pF @ 16V | 400mW | -65°C ~ 150°C（TJ） | 表面贴装型 | SOT-563，SOT-666 | SOT-563 |
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