单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA(Ta)3.5A(Ta)3.8A(Ta)14A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4V4V,5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
65 毫欧 @ 3.8A,10V100 毫欧 @ 8.4A,5V126 毫欧 @ 1A,4V4 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.5 nC @ 4 V1.7 nC @ 15 V5.2 nC @ 4.5 V18 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
23 pF @ 25 V123 pF @ 15 V563 pF @ 25 V870 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
250mW(Ta)1W(Ta)1.08W(Ta)42W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
DPAKSC-75ASOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
SC-75,SOT-416SOT-23-3 扁平引线TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3099L-13
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
19,358
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40548
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.8A(Ta)
4.5V,10V
65 毫欧 @ 3.8A,10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5868
SI1021R-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Vishay Siliconix
22,125
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46761
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
4 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
13,244
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75881
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.5A(Ta)
1.8V,4V
126 毫欧 @ 1A,4V
1V @ 1mA
1.5 nC @ 4 V
±12V
123 pF @ 15 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
D-PAK (TO-252AA)
IRLR024PBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Vishay Siliconix
11,176
现货
1 : ¥13.22000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
14A(Tc)
4V,5V
100 毫欧 @ 8.4A,5V
2V @ 250µA
18 nC @ 5 V
±10V
870 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。