单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesMicrochip Technology
系列
-CoolMOS™ CFD7
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
600 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
37A（Tc）101A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 58.2A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 2.91mA-
Vgs（最大值）
±20V-
功率耗散（最大值）
416W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3SOT-227（ISOTOP®）
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOCTO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
1,002
现货
1 : ¥153.03000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
101A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 58.2A，10V
4.5V @ 2.91mA
251 nC @ 10 V
±20V
9901 pF @ 400 V
-
416W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
APT2X60D60J
MSC080SMA120J
SICFET N-CH 1.2KV 35A SOT227
Microchip Technology
43
现货
1 : ¥236.44000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
37A（Tc）
-
-
-
-
-
-
-
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
SOT-227（ISOTOP®）
SOT-227-4，miniBLOC
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。