单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A（Tc）5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 4.5A，10V200 毫欧 @ 1.6A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.4 nC @ 5 V18.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
400 pF @ 25 V770 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta）2W（Ta），3.1W（Tc）
供应商器件封装
SOT-223SOT-223-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
IRLL014TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Vishay Siliconix
13,810
现货
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.87602
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.7A（Tc）
4V，5V
200 毫欧 @ 1.6A，5V
2V @ 250µA
8.4 nC @ 5 V
±10V
400 pF @ 25 V
-
2W（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
ZXMN4A06GTA
MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Diodes Incorporated
10,110
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.18992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
5A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 4.5A，10V
1V @ 250µA
18.2 nC @ 10 V
±20V
770 pF @ 40 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。