单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.7A（Ta）5A（Ta）13A（Ta），64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 20A，10V40 毫欧 @ 5A，4.5V85 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA（最小）2.4V @ 580µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 4.5 V21 nC @ 10 V34.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 10 V2312 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）2.4W（Ta）3.2W（Ta），75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）8-SOIC8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4848DY-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Vishay Siliconix
3,569
现货
1 : ¥12.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.31966
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2.7A（Ta）
6V，10V
85 毫欧 @ 3.5A，10V
2V @ 250µA（最小）
21 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-WDFN
NVTFS9D6P04M8LTAG
MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
onsemi
18,874
现货
3,000
工厂
1 : ¥11.66000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.13151
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
13A（Ta），64A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 580µA
34.6 nC @ 10 V
±20V
2312 pF @ 20 V
-
3.2W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
6-WDFN Exposed Pad
FDMA430NZ
MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
onsemi
7,124
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.84292
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
2.5V，4.5V
40 毫欧 @ 5A，4.5V
1.5V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
800 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。