单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ P7SuperFET® IIITrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
100 V500 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Tc)18.4A(Tc)33A(Tc)37A(Tc)44A(Tc)46A(Tc)47A(Tc)50A(Tc)61A(Tc)75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.8 毫欧 @ 15A,10V19 毫欧 @ 58.3A,10V40 毫欧 @ 24.9A,10V45 毫欧 @ 22.5A,10V45 毫欧 @ 24.9A,10V65 毫欧 @ 17.1A,10V67 毫欧 @ 22A,10V70 毫欧 @ 30A,10V80 毫欧 @ 11.8A,10V750 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250µA3.9V @ 2.7mA4V @ 1.08mA4V @ 1.24mA4V @ 1.25mA4V @ 2.92mA4V @ 590µA4.5V @ 200µA4.5V @ 4.4mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
51 nC @ 10 V64 nC @ 10 V67 nC @ 10 V78 nC @ 10 V90 nC @ 10 V93 nC @ 10 V107 nC @ 10 V130 nC @ 10 V215 nC @ 10 V320 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1970 pF @ 50 V2180 pF @ 400 V3020 pF @ 400 V3090 pF @ 400 V3891 pF @ 400 V4340 pF @ 400 V4700 pF @ 25 V6800 pF @ 25 V9900 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
3W(Ta),6W(Tc)129W(Tc)171W(Tc)201W(Tc)227W(Tc)300W(Tc)312W(Tc)415W(Tc)446W(Tc)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICPG-TO220-3PG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO247-3-41PG-TO263-3TO-220TO-247(IXTH)
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3 AC EP
IPW60R045P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Infineon Technologies
1,934
现货
1 : ¥55.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
61A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 22.5A,10V
4V @ 1.08mA
90 nC @ 10 V
±20V
3891 pF @ 400 V
-
201W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R045C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Infineon Technologies
793
现货
1 : ¥93.92000
剪切带(CT)
1,000 : ¥51.43718
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
46A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO247-3
SPW47N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3
Infineon Technologies
634
现货
1 : ¥125.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
47A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 30A,10V
3.9V @ 2.7mA
320 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
415W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R019C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Infineon Technologies
615
现货
1 : ¥169.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 58.3A,10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
8-SOIC
SI4190ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Vishay Siliconix
1,117
现货
1 : ¥14.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.61010
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
18.4A(Tc)
4.5V,10V
8.8 毫欧 @ 15A,10V
2.8V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1970 pF @ 50 V
-
3W(Ta),6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PG-TO263-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Infineon Technologies
4,846
现货
1 : ¥39.00000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.84411
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
33A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 17.1A,10V
4.5V @ 200µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 400 V
-
171W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
FCP067N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
onsemi
760
现货
1 : ¥50.90000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
44A(Tc)
10V
67 毫欧 @ 22A,10V
4.5V @ 4.4mA
78 nC @ 10 V
±30V
3090 pF @ 400 V
-
312W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH11P50
MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Littelfuse Inc.
102
现货
1 : ¥88.91000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
11A(Tc)
10V
750 毫欧 @ 5.5A,10V
5V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Infineon Technologies
1,577
现货
1 : ¥91.37000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.24mA
107 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-220-3
IPP60R080P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥35.30000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
37A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
129W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
/ 10

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。