单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）11.2A（Ta）65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V6V，10V7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.8 毫欧 @ 11.2A，10V30 毫欧 @ 15A，10V450 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V41 nC @ 10 V75 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V2580 pF @ 50 V4050 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
290mW（Ta）2.5W（Ta），5W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICSOT-323TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
522,061
现货
8,886,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-SOIC
FDS86140
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
onsemi
4,121
现货
25,000
工厂
1 : ¥23.07000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.22924
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
11.2A（Ta）
6V，10V
9.8 毫欧 @ 11.2A，10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2580 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263 (D2Pak)
SQM10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Vishay Siliconix
9,550
现货
1 : ¥25.37000
剪切带（CT）
800 : ¥15.31416
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
65A（Tc）
7.5V，10V
30 毫欧 @ 15A，10V
3.5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±20V
4050 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。