RF FET，MOSFET

结果 : 6
产品状态
不适用于新设计在售
频率
0Hz ~ 4GHz0Hz ~ 6GHz1.2GHz ~ 1.4GHz
增益
12.5dB13dB14dB16dB18dB
电压 - 测试
28 V50 V
额定电流（安培）
42mA4.2A6.3A7A14A28A
电流 - 测试
150 mA250 mA300 mA400 mA500 mA1 A
功率 - 输出
30W50W55W100W330W
电压 - 额定
84 V125 V150 V
封装/外壳
440162440166440193440199
供应商器件封装
440162440166440193440199
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
封装/外壳
供应商器件封装
CGH40045F
CGH40045F
RF MOSFET HEMT 28V 440193
MACOM Technology Solutions
110
现货
1 : ¥1,654.46000
托盘
托盘
不适用于新设计
HEMT
0Hz ~ 4GHz
14dB
28 V
14A
-
400 mA
55W
84 V
440193
440193
CGH40090PP
CGH40090PP
RF MOSFET HEMT 28V 440199
MACOM Technology Solutions
179
现货
1 : ¥3,251.54000
托盘
托盘
在售
HEMT
0Hz ~ 4GHz
12.5dB
28 V
28A
-
1 A
100W
84 V
440199
440199
CGHV14250F
CGHV14250F
RF MOSFET HEMT 50V 440162
MACOM Technology Solutions
39
现货
1 : ¥3,968.40000
托盘
托盘
在售
HEMT
1.2GHz ~ 1.4GHz
18dB
50 V
42mA
-
500 mA
330W
125 V
440162
440162
CGHV40030F
CGHV40030F
RF MOSFET HEMT 50V 440166
MACOM Technology Solutions
15
现货
1 : ¥1,586.24000
托盘
托盘
在售
HEMT
0Hz ~ 6GHz
16dB
50 V
4.2A
-
150 mA
30W
125 V
440166
440166
CGHV40050F-AMP
CGHV40050F
RF MOSFET HEMT 50V 440193
MACOM Technology Solutions
0
现货
查看交期
1 : ¥2,138.08000
托盘
托盘
在售
HEMT
0Hz ~ 4GHz
12.5dB
50 V
6.3A
-
300 mA
50W
150 V
440193
440193
CGH40025F
CGH40025F
RF MOSFET HEMT 28V 440166
MACOM Technology Solutions
0
现货
1 : ¥1,159.76000
托盘
托盘
不适用于新设计
HEMT
0Hz ~ 6GHz
13dB
28 V
7A
-
250 mA
30W
84 V
440166
440166
显示
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。