单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IPB17N25S3100ATMA1 MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3 Infineon Technologies	7,635 现货	1 : ¥18.55000 剪切带（CT） 1,000 : ¥8.81331 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	17A（Tc）	10V	100 毫欧 @ 17A，10V	4V @ 54µA	19 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 25 V	-	107W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PG-TO263-3-2	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SQJQ402E-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 Vishay Siliconix	0 现货查看交期	1 : ¥22.41000 剪切带（CT） 2,000 : ¥10.11731 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	200A（Tc）	4.5V，10V	1.7 毫欧 @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	260 nC @ 10 V	±20V	13500 pF @ 20 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	PowerPAK® 8 x 8	PowerPAK® 8 x 8