单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedMicrochip Technology
包装
卷带（TR）袋
漏源电压（Vdss）
450 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA（Tj）90mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 欧姆 @ 100mA，10V60 欧姆 @ 50mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA4V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
55 pF @ 25 V70 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）1W（Tc）
供应商器件封装
E-Line（TO-92 兼容）TO-92-3
封装/外壳
E-Line-3TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
VN0550N3-G
MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
Microchip Technology
268
现货
1 : ¥15.19000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
50mA（Tj）
5V，10V
60 欧姆 @ 50mA，10V
4V @ 1mA
±20V
55 pF @ 25 V
-
1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
ZVN0545ASTZ
MOSFET N-CH 450V 90MA E-LINE
Diodes Incorporated
0
现货
16,000
工厂
查看交期
2,000 : ¥5.92173
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
450 V
90mA（Ta）
10V
50 欧姆 @ 100mA，10V
3V @ 1mA
±20V
70 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。