单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
SIPMOS®SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
240 V1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110mA（Ta）2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 1.25A，10V14 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 56µA4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 10 V18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
77 pF @ 25 V601 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）90W（Tc）
供应商器件封装
DPAKPG-SOT23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD3NK100Z
MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
STMicroelectronics
7,924
现货
1 : ¥19.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.77597
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1000 V
2.5A（Tc）
10V
6 欧姆 @ 1.25A，10V
4.5V @ 50µA
18 nC @ 10 V
±30V
601 pF @ 25 V
-
90W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SOT-23-3
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
27,824
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68273
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
110mA（Ta）
4.5V，10V
14 欧姆 @ 100mA，10V
1.8V @ 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。