单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A（Tc）12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 12A，10V24.5 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.8 nC @ 10 V62 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
860 pF @ 15 V3200 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.5W（Tc）2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSMT（3.2x3）TSMT8
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SMD，扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
RQ3E120ATTB
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Rohm Semiconductor
10,923
现货
1 : ¥6.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.30411
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 1mA
62 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 15 V
-
2W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSMT（3.2x3）
8-PowerVDFN
846~TSMT8~~8 Top
RQ7E055ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5.5A TSMT8
Rohm Semiconductor
3,326
现货
1 : ¥8.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.53137
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.5A（Tc）
10V
24.5 毫欧 @ 5.5A，10V
2.5V @ 1mA
18.8 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 15 V
-
1.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT8
8-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。