单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）100A（Tc）150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2 毫欧 @ 50A，10V2.2 毫欧 @ 25A，10V140 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V130.8 nC @ 10 V177 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
230 pF @ 25 V6555 pF @ 30 V8352 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.4W167W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerDI5060-8PowerDI5060-8（K 类）SOT-223
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Infineon Technologies
22,781
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.03918
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
2A（Ta）
4V，10V
140 毫欧 @ 2A，10V
2V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±16V
230 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
PowerDI5060-8
DMTH6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
5,707
现货
1 : ¥13.46000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.06301
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 50A，10V
3V @ 250µA
130.8 nC @ 10 V
±20V
6555 pF @ 30 V
-
167W
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI5060-8（K 类）
8-PowerTDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMP2003UPS-13
MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
12,392
现货
10,000
工厂
1 : ¥10.26000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.25344
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
150A（Tc）
2.5V，10V
2.2 毫欧 @ 25A，10V
1.4V @ 250µA
177 nC @ 10 V
±12V
8352 pF @ 10 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。