单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）11.7A（Ta），76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 9.8A，10V92 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6 nC @ 4.5 V52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
220 pF @ 10 V2747 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）1.3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerDI5060-8TSMT3
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-96
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSMT3
RTR025N03HZGTL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
20,117
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.25200
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
92 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.5V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
±12V
220 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT3
SC-96
DMPH4015SPSQ-13
DMP4011SPSQ-13
MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
Diodes Incorporated
1,521
现货
665,000
工厂
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.86288
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
11.7A（Ta），76A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
2747 pF @ 20 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。