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SIR836DP-T1-GE3 没有现货，但可以进行缺货下单。
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SIR836DP-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIR836DP-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIR836DP-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SIR836DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIR836DP-T1-GE3 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 |
原厂标准交货期 | 18 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 40 V 21A（Tc） 3.9W（Ta），15.6W（Tc） PowerPAK® SO-8 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIR836DP-T1-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 40 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 10A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600 pF @ 20 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 3.9W（Ta），15.6W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.57000 | ¥6.57 |
| 10 | ¥5.65700 | ¥56.57 |
| 100 | ¥3.91770 | ¥391.77 |
| 500 | ¥3.27358 | ¥1,636.79 |
| 1,000 | ¥2.78608 | ¥2,786.08 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥2.48136 | ¥7,444.08 |
| 6,000 | ¥2.35076 | ¥14,104.56 |
| 9,000 | ¥2.17662 | ¥19,589.58 |
| 30,000 | ¥2.15507 | ¥64,652.10 |
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