单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）2.5A（Ta）24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 17A，10V95 毫欧 @ 3.8A，10V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 4.5 V50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 10 V254 pF @ 25 V1995 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）650mW（Ta）5W（Ta），28W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）SOT-23-3SST3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3125L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Diodes Incorporated
519,583
现货
663,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
254 pF @ 25 V
-
650mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
220,298
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.84721
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
11 毫欧 @ 17A，10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1995 pF @ 15 V
-
5W（Ta），28W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
RUC002N05T116
RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Rohm Semiconductor
561,115
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26523
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。