单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）500mA（Ta）1.3A（Ta）2A（Ta）3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.5V，4V1.5V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
103 毫欧 @ 1A，4.5V105 毫欧 @ 2A，4.5V260 毫欧 @ 1.3A，4.5V630 毫欧 @ 200mA，5V8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.23 nC @ 4 V2.4 nC @ 4.5 V4.6 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11 pF @ 3 V46 pF @ 10 V270 pF @ 10 V290 pF @ 6 V770 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）500mW（Ta）800mW（Ta）
工作温度
150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
TUMT3UFMUSM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线SC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
13,688
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53200
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
500mA（Ta）
1.5V，5V
630 毫欧 @ 200mA，5V
1V @ 1mA
1.23 nC @ 4 V
±10V
46 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
TUMT3
RZF020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Rohm Semiconductor
9,835
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27252
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2A（Ta）
1.5V，4.5V
105 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 1mA
6.5 nC @ 4.5 V
±10V
770 pF @ 6 V
-
800mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
TUMT3
RZF013P01TL
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Rohm Semiconductor
5,794
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92136
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
1.3A（Ta）
1.5V，4.5V
260 毫欧 @ 1.3A，4.5V
1V @ 1mA
2.4 nC @ 4.5 V
±10V
290 pF @ 6 V
-
800mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
9,971
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89044
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
1.5V，4.5V
103 毫欧 @ 1A，4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
270 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
2,970
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33715
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.5V，4V
8 欧姆 @ 10mA，4V
1.1V @ 100µA
-
±10V
11 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。