单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Rohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.3A（Tc）10A（Ta）31A（Ta），100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 20A，10V84 毫欧 @ 10A， 10V540 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.3 nC @ 10 V15.2 nC @ 10 V330 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
180 pF @ 25 V1200 pF @ 30 V12900 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），25W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）26W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8TO-252TO-252AA
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7155DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 31A/100A PPAK
Vishay Siliconix
26,903
现货
1 : ¥16.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.36990
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
31A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
330 nC @ 10 V
±20V
12900 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
RB098BM-40FNSTL
RD3L01BATTL1
PCH -60V -10A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
3,880
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.78022
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10A（Ta）
4.5V，10V
84 毫欧 @ 10A， 10V
2.5V @ 1mA
15.2 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 30 V
-
26W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
IRFR110PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
2,961
现货
1 : ¥5.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4.3A（Tc）
-
540 毫欧 @ 2.6A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。