单齐纳二极管

结果 : 4
制造商
onsemiRohm Semiconductor
系列
-PDZV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
2.2 V2.4 V3 V3.9 V
容差
±5%±5.68%
功率 - 最大值
500 mW1 W
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
800 nA @ 1 V2 µA @ 1 V5 µA @ 2 V200 µA @ 700 mV
工作温度
-55°C ~ 150°C150°C（TJ）
封装/外壳
SOD-123SOD-128
供应商器件封装
PMDTMSOD-123
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗（最大值）(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
MMSZ5237ET1G
MMSZ4683T1G
DIODE ZENER 3V 500MW SOD123
onsemi
33,287
现货
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.24109
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
3 V
±5%
500 mW
-
800 nA @ 1 V
900 mV @ 10 mA
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOD-123
SOD-123
MMSZ5237ET1G
MMSZ4681T1G
DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123
onsemi
14,832
现货
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.24109
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
2.4 V
±5%
500 mW
-
2 µA @ 1 V
900 mV @ 10 mA
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOD-123
SOD-123
MMSZ5237ET1G
MMSZ4686T1G
DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123
onsemi
27,715
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26581
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
3.9 V
±5%
500 mW
-
5 µA @ 2 V
900 mV @ 10 mA
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
SOD-123
SOD-123
SOD-128
PDZVTR2.2B
DIODE ZENER 2.2V 1W PMDTM
Rohm Semiconductor
2,446
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68757
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
2.2 V
±5.68%
1 W
20 Ohms
200 µA @ 700 mV
-
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOD-128
PMDTM
显示
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单齐纳二极管

齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。