Wolfspeed

750 V 碳化硅 MOSFET

Wolfspeed 的 MOSFET 提供更大的设计灵活性、更高的可靠性和更低的 FIT 率

Wolfspeed 的 750 V 碳化硅 MOSFET 的图片Wolfspeed 的 TO-247-4 LP 750 V 封装可在更广泛的电源系统中实现更小、更轻、更高效的电源转换。更薄的封装有助于空间受限的电路板设计，提高系统级功率密度，并且由于封装电感的改进而降低开关损耗。随着系统总线电压的增加，Wolfspeed 的 750 V 系列 MOSFET 可在客户应用中提供更大的设计裕度，并提高峰值瞬态电压的耐受度。系列所有设备均符合行业要求。

特性
  • 与 K 器件相比，封装高度降低 (2.5 mm)
  • 温度范围内导通电阻低
  • 寄生电容低
  • 具有超低反向恢复 (QRR) 的快速体二极管
  • 高温运行：TJ = +175°C
  • 行业标准封装和引线长度
  • 开尔文源极引脚
  • 低引线电感
  • 低热阻
应用
  • 工业电源
  • 电机和运动控制系统
  • 服务器和电信电源
  • 电动汽车充电系统
  • 太阳能和储能系统
  • 测试与测量系统

750 V Silicon Carbide MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2024-05-30