SiC 功率 MOSFET

            SiC 功率 MOSFET
  
                    ROHM 的 SiC MOSFET 具有低导通电阻和低开关损耗

ROHM 的 SiC 功率 MOSFET 图片 ROHM 的碳化硅 (SiC) MOSFET 可提供各种额定电流和封装。它们具有各种导通电阻，电压 (V_DSS) 额定值为 650 V、1,200 V 或 1,700 V。与 IGBT 不同的是，它们在关断期间没有尾电流，因而可以更快地运行并降低开关损耗。此外，与硅器件不同，其导通电阻即使在高温下也保持相对恒定，从而使传导损耗最小化。提供具有最大短路耐受时间的第二代平面和具有更小的输入电容和较低栅极电荷模型的第三代沟槽。裸芯片额定电压最高可达 1,700 V。

特性

开关速度快，低损耗
最高结温：+175 °C
封装器件额定电压为 650 V、1,200 V 或 1,700 V
导通电阻为 17mΩ 至 1,150 mΩ
提供 Spice 模型和热模型
第二代平面技术，具有更长的短路耐受时间

对体二极管的使用没有限制
具有低输入电容的第三代沟槽技术 (C_ISS) 和低栅极电荷 (Q_G)
直流阻断电压：650 V、1,200 V、1,700 V.
极小的开关损耗
工作温度范围：-40°C 至 +175°C

应用

用于感应加热的逆变器
电机驱动逆变器
双向转换器

太阳能逆变器
功率调节器

3rd Generation TO-247-4L Package with Kelvin Source Connection

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
SCT3040KRC14	SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L	806 - 立即发货	1 : ¥285.23 管件	查看详情
SCT3080KRC14	SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L	265 - 立即发货	1 : ¥136.87 管件	查看详情
SCT3105KRC14	SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L	102 - 立即发货	1 : ¥122.15 管件	查看详情
SCT3030ARC14	SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L	153 - 立即发货	1 : ¥287.22 管件	查看详情
SCT3060ARC14	SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L	344 - 立即发货	1 : ¥123.97 管件	查看详情
SCT3080ARC14	SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L	249 - 立即发货	1 : ¥113.96 管件	查看详情

SiC Power MOSFETs Single

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
SCH2080KEC	SICFET N-CH 1200V 40A TO247	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
SCT2080KEC	SICFET N-CH 1200V 40A TO247	0 - 立即发货	360 : ¥120.84 管件	查看详情
SCT2160KEC	SICFET N-CH 1200V 22A TO247	0 - 立即发货	360 : ¥68.43 管件	查看详情
BSM180C12P2E202	SICFET N-CH 1200V 204A MODULE	4 - 立即发货	1 : ¥4,961.97 托盘	查看详情
SCT2750NYTB	SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268	324 - 立即发货	1 : ¥57.39 剪切带（CT） 400 : ¥28.98 卷带（TR） 1 : ¥57.39 Digi-Reel® 得捷定制卷带	查看详情

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SiC Power MOSFETs Arrays

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
BSM080D12P2C008	MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE	0 - 立即发货	1 : ¥2,635.96 托盘	查看详情
BSM120D12P2C005	MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE	7 - 立即发货	1 : ¥3,041.44 散装	查看详情
BSM180D12P2C101	MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE	1 - 立即发货	1 : ¥3,296.98 散装	查看详情
BSM180D12P3C007	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE	13 - 立即发货	1 : ¥4,658.13 散装	查看详情

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更新日期： 2019-11-01

发布日期： 2019-04-30

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