R-REF01-HB 通用半桥参考设计

RECOM 通用半桥参考设计可用于比较各种高功率 IGBT、第 1/第 2 代 SiC、GaN、MOSFET 和共源共栅开关技术的性能。栅极驱动器和 PCB 布局对于每一种晶体管类型均相同，因此工程师们能比较开关性能，并根据其应用选择合适的技术。

参考设计包括半桥布局，带有使用隔离式电源的完全隔离式驱动器级，适用于低压侧和高压侧开关晶体管。这种封装包括四个不同的 DC/DC 转换器，可针对不同的晶体管类型生成合适的隔离式驱动器电压组合。工程师们因此可以选择来自首选供应商的 TO247 或 TO247-4L（Kelvin 连接）封装开关晶体管，配合适当的 DC/DC 转换器以匹配，然后快速开发原型并测试其应用。

作为基本构建块，这种参考设计可用于评估正向、反激式、降压和升压拓扑结构，并通过将两个或多个装置相结合，该器件可用于评估全桥和三相桥式电路。PCB 针对高达 1000 V 电压和 10 A 栅极驱动电流的高速开关进行了优化。电源接地与信号接地电位隔离，板载 BNC 插座用于高速连接到外部 TTL 信号发生器。由于高压侧和低压侧控制相互独立，这种参考设计还可用于实现非对称占空比、有源箝位和相移全桥拓扑结构。

更多信息：参考设计板