用于 IGBT、SiC 和 GaN 的隔离式 DC/DC 转换器

适合要求最高 10 kVDC 隔离能力的应用的 DC/DC 转换器

RECOM 针对 IGBT 应用的这种转换器可作为单零件解决方案提供 +15 V 和 -9 V 非对称输出。 具有 +20 V 和 -5 V 输出的转换器用于 SiC MOSFET，同时已针对第二代 SiC MOSFET 开发出了具有 +15 V 和 -3 V 输出的转换器。 对于 GaN 器件，RECOM 还提供了 GaN HEMT 技术所需的 +6 V 和 +9 V 选择。 RECOM 所有针对栅极驱动器的转换器均具有高隔离能力（最高 6.4 kV），采用紧凑型封装，能够承受高开关速度产生的应力。

 

  • IGBT
  • SiC
  • GaN
  • 参考设计

能延长 IGBT 驱动器使用寿命的高隔离 DC/DC 转换器

IGBT 控制器常用于逆变器应用。 通常光耦合器作为控制信号隔离器，但在电源侧需要一个针对高浮动电压的绝缘子。 ARECOM 转换器是一个简单地满足高隔离能力要求的方式，为 IGBT 应用提供了适合的栅极电压。

 

特性

  • 非对称输出：+15 V/-9 V
  • 能效高达 86%
  • 高隔离能力，最高 6.4 KVDC/1 秒
  • 工作温度范围最高 90°C
  • 获得 EN 认证
  • 3 年保修

应用

  • 变频驱动器 (VFD)
  • IGBT 栅极驱动器电路
  • 电机控制单元
  • 通用逆变器
  • 不间断电源
  • 焊机

 

  型号 功率 VIN VOUT 隔离 认证 外壳
Recom RH-xx1509D RH-xx1509D 1 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 3 kVDC 或 4 kVDC EN SIP7
Recom RP-xx1509D RP-xx1509D 1 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 5.2 kVDC EN SIP7
Recom RxxP1509D RxxP1509D 1 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 6.4 kVDC EN SIP7
Recom RKZ-xx1509D RKZ-xx1509D 2 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 3 kVDC 或 4 kVDC EN SIP7
Recom RGZ-xx1509D RGZ-xx1509D 2 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 3 kVDC 或 4 kVDC EN DIP14
Recom RxxP21509D RxxP21509D 2 W 5, 12, 24 +15 V/-9 V 6.4 kVDC EN SIP7

用于 SiC MOSFET 的高隔离非对称输出 DC/DC 转换器

为了满足 MOSFET 的挑战性要求，RECOM 开发出了用于 SiC MOSFET 的 DC/DC 转换器系列，具体包括 3 kVDC、4 kVDC、5.2 kVDC 甚至 6.4 kVDC 隔离版本，以确保隔离栅能承受甚至最严格的测试。 这些系列采用 5 V、12 V、15 V 或 24 V 的输入电压，具有 +20 V 和 -5 V 的非对称输出，可高效地开关 SiC MOSFET。

 

特性

  • 功率均分
  • 非对称输出：+20/-05 VDC 或 +15/-03 VDC
  • 能效高达 87%
  • 最高 6.4 KVDC/1 秒的高隔离能力
  • 可选连续短路保护
  • 宽工作温度范围：-40°C 至 +90°C
  • 通过 UL60950 认证和 IEC/EN60950 认证
  • 3 年保修

应用

  • DC/AC 逆变器
  • 可再生能源
  • 智能电网
  • 电机驱动器

 

  型号 功率 VIN VOUT 隔离 认证 外壳
Recom RxxP21503D RxxP21503D 2 W 15、12、24 +15/-03 VDC 5.2 kVDC 通过 EN-60950-1 认证 SIP7
Recom RKZ-xx2005D RKZ-xx2005D 2 W 5, 12, 15, 24 +20/-05 VDC 3 kVDC 或 4 kVDC 通过 UL60950-1 认证
CSA C22.2 编号 60950-1-07
通过 IEC/EN60950-1 认证
EN55022		 SIP7
Recom RxxP22005D RxxP22005D 2 W 5, 12, 15, 24 +20/-05 VDC 5.2 kVDC 通过 UL60950-1 认证
CSA C22.2 编号 60950-1-03
通过 IEC/EN60950-1 认证
EN55022		 SIP7

用于快速开关 GaN 驱动器的 DC/DC 电源

RP-xx06S 和 RxxP06S 系列采用 SIP 外壳，提供 +6 V 的输出电压。罐形磁芯内部变压器提供最高 6.4 kVDC 的隔离，确保隔离栅能承受最恶劣的工作条件。这些转换器的输入电压为 5 V、12 V、15 V 或 24 V，而一些型号有一个 +9 V 的输出，可通过齐纳二极管电路将其分成 +6 V 和 -3 V，以提供一个负的开关栅极电压。 这些转换器还具有低隔离电容 (<10 pF) 特点，并通过了 IEC/EN-60950-1 认证。

 

特性

  • 针对 GaN 驱动器应用的 6 V 输出
  • 以小巧体积提供高达 6.4 kVDC/秒的隔离能力
  • 低隔离电容（最大 10 pF）
  • 通过 UL/IEC/EN62368-1、IEC/EN60950-1 认证 (RxxP06S)
  • 通过 UL/IEC60950、IEC/EN60601-1 认证 (RP-xx06S)

应用

  • DC/AC 逆变器
  • 可再生能源
  • 智能电网
  • 电机驱动器

 

  型号 功率 VIN VOUT 隔离 认证 外壳
Recom RP-xx06S RP-xx06S 1 W 5, 12, 15, 24 6 5.2 kV (5200 V) 通过 UL/IEC60950 认证 SIP7
Recom RxxP06S RxxP06S 1 W 5, 12, 15, 24 6 6.4 kV (6400 V) 通过 UL/IEC62368 认证 SIP7

用于 IGBT / SiC / GaN 的隔离式 DC/DC 转换器

R-REF01-HB 可用于评估正激、反激、降压和升压拓扑结构。 参考设计采用半桥布局，使用隔离式电源提供全隔离驱动器级，同时适合用于低压侧和高压侧开关晶体管类型。 R-REF01-HB 平台可用于比较各种高功率 IGBT、第 1/第 2 代 SiC、GaN、MOSFET 和共源共栅开关技术的真实性能。

特性

  • 在高至 10 A 栅极驱动电流条件下具有最高 1000 V 的高速开关能力
  • 高至 1 kV 的半桥电压
  • TTL 兼容信号输入
  • 适合低压侧和高压侧开关的独立输入，适用于不同的拓扑结构

应用

  • IGBT、SiC 和 GaN 驱动器电路
  • 电机控制单元
  • 通用逆变器
  • 不间断电源
  • 焊机

 

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