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储能解决方案
onsemi 储能解决方案可捕获一段时间产生的能量供以后使用。它涉及将能量从难以储存的形式转换为更方便或可经济储存的形式。添加电池可以储存多余的电力以供需要时使用。
ESS 的架构与 UPS 类似,包括大功率转换级、高频开关驱动级、信号处理级。同时,ESS 和太阳能逆变器之间的联系非常紧密,在 ESS 和太阳能逆变器厂商排名中可以找到很多名字。onsemi 作为电源解决方案提供商,拥有丰富的产品组合和多年的经验。储能解决方案 (ESS) 作为能源基础设施的重要组成部分,是目标之一。
- 交错式升压转换器
- 电池充电器
- 三相直/交流逆变器
- 辅助电源
- MCU 和信号调节
- BMS
交错式升压转换器
升压转换器将 PV 逆变器的电压升压至 VDC 电压。
电池充电器
双向电池充电器用于将光伏板的能量存储到电池中,或使用电池中存储的能量为直/交流逆变器供电
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碳化硅 MOSFET | 碳化硅 MOSFET,N 沟道,1200 V,20 mΩ,TO247-4L | ||
SiC 栅极驱动器 | SiC MOSFET 驱动器,低压侧,单路 6 A 高速 | ||
数字隔离器 | 高速四通道数字隔离器 | ||
运算放大器 | 具有 10 µV 失调的低功耗、零漂移运算放大器 | ||
电流检测放大器 | 电流检测放大器,26V,低压侧/高压侧电压输出,双向电流分流监测器 |
三相直/交流逆变器
直/交流逆变器由直流电压 (VDC) 3 相交流电压组成
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数字隔离器 | 高速四通道数字隔离器 | ||
栅极驱动器 | SiC MOSFET 驱动器,低压侧,单路 6 A 高速 | ||
碳化硅 MOSFET | 碳化硅 MOSFET,N 沟道,1200 V,20 mΩ,TO247-4L | ||
电流检测放大器 | 电流检测放大器,26V,低压侧/高压侧电压输出,双向电流分流监测器 | ||
运算放大器 | 运算放大器,30 µV 失调,0.07 µV/°C,低功耗,零漂移 |
辅助电源
辅助电源用于创建低电源电压,为所有使用的电子设备供电
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PWM 控制器 | PWM 控制器,电流模式,用于正激和反激式应用 | ||
光耦合器 | 4 针 DIP 光电晶体管光耦合器 | ||
场效应晶体管 | 功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,8 A,1.4 Ω,TO-220F | ||
二极管 | 齐纳二极管 500mW SOD-123 | ||
NPN 晶体管 | 大电流 NPN 双极晶体管 | ||
场效应晶体管 | 单 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 50V、200mA、3.5Ω | ||
二极管 | 100V 开关二极管 | ||
二极管 | 超快速表面贴装整流器 | ||
齐纳二极管 | 500 mW 15 V ±5% 齐纳二极管稳压器 | ||
二极管 | 100V 开关二极管 | ||
场效应晶体管 | N 沟道 PowerTrench® MOSFET 250V, 25A, 42.5mΩ | ||
SR 控制器 | 次级侧控制器,同步整流,适用于高效 SMPS 拓扑 | ||
电压基准 | 电压基准,可编程精密,并联稳压器 | ||
降压转换器 | 汽车开关稳压器,降压,1.2 A,2 MHz |
MCU 和信号调节
虽然我们不提供 MCU 部件,但我们提供许多支持设备,如信号保护、通信接口、电源、驱动器、存储器 (eeprom) 等。MCU 根据来自传感器的信号控制升压转换器、电池充电器和 DC/AC 转换器
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数字隔离器 | 高速四通道数字隔离器 | ||
ADC | 12 位低功耗 SAR ADC 无符号输出 | ||
温度传感器 | 具有 2 线接口和 SMBus 超时功能的数字温度传感器 | ||
ESD 保护 | 适用于高速数据线路的低电容 ESD 保护二极管 | ||
蓝牙 SoC | 无线电 SoC,Bluetooth® 5 认证,SDK 3.3 | ||
ESD 保护 | 用于 ESD 保护的微封装二极管 | ||
CAN 收发器 | CAN 收发器,高速,低功耗 | ||
CAN ESD 保护 | 24V 双线 CAN/CAN-FD 总线保护器 | ||
场效应晶体管 | 单 P 通道功率 MOSFET -60V、-2.6A、170mΩ | ||
齐纳二极管 | 齐纳二极管 500mW SOD-123 | ||
NPN 晶体管 | 双 NPN 双极数字晶体管 (BRT) | ||
8 与非门 | 8 个输入与非门 | ||
D 型触发器 | 双路 D 型正边沿触发器 | ||
或门 | 单 2 输入或门 | ||
闪存 | 串行闪存,16 Mb (2048K x 8) | ||
LED 驱动器 | LED 驱动器,350 mA,降压转换器 |
BMS
BMS – 电池管理系统用于监控电池并平衡电池单元之间的能量
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N-MOSFET | 单 N 沟道功率 MOSFET 30 V,46 A,5.88mΩ | ||
二极管 | 小信号二极管 | ||
齐纳二极管 | 225 mW;5% 齐纳二极管稳压器 | ||
数字隔离器 | 高速双通道双向陶瓷数字隔离器 | ||
CAN 收发器 | CAN 收发器,高速,低功耗 | ||
CAN ESD 保护 | 24V 双线 CAN/CAN-FD 总线保护器 | ||
NPN 晶体管 | 1.0 A 250 V 高压 NPN 双极功率晶体管 | ||
电流检测放大器 | 电流分流监测器,26V,电压输出,双向,零漂移,低压侧或高压侧电流感应 | ||
运算放大器 | 运算放大器,5.5V 轨至轨输入和输出,350 kHz,单通道 | ||
12 位 ADC | 12 位低功耗 SAR ADC 有符号输出 |