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碳化硅 (EliteSiC) MOSFET
onsemi 的 SiC MOSFET 可提供高效率、更高的功率密度和更小的系统尺寸
onsemi 碳化硅 (EliteSiC) MOSFET 使用的技术与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统优势包括高效率、更快的工作频率、更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系统尺寸。
特性
- 900 V 额定值
- 低导通电阻
- 紧凑的芯片尺寸可确保低电容和栅极电荷
- 高速开关和低电容
- 100% 通过 UIL 测试
- 符合 AEC-Q101 汽车标准要求
应用
- PFC
- OBC
- 升压逆变器
- 电动汽车充电
- 用于 EV/PHEV 的汽车 DC/DC 转换器
- 汽车车载充电器
- 汽车辅助电机驱动器
- 网络电源
- 服务器电源
Other Wide Bandgap Solutions
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
|  | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1498 - 立即发货 | $49.57 | 查看详情 |
|  | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 2884 - 立即发货 12000 - 厂方库存 | $46.56 | 查看详情 |
| | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
发布日期： 2020-04-14
