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1700 V 碳化硅 EliteSiC 二极管
onsemi 的二极管具有与温度无关的开关特性和出色的热性能
onsemi 的 1700 V EliteSiC 肖特基二极管使用的技术与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、不受温度影响的开关特性和出色的热性能，使得 SiC 成为下一代功率半导体标杆。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更低的系统尺寸和成本。
特性
- 易于并联
- 高浪涌电流电容
- 最高结温：+175°C
- 无反向恢复/无正向恢复
- 开关频率更高
- 低正向电压 (VF)
- 正温度系数
- 通过 AEC-Q101 鉴定，支持 PPAP
应用
- 汽车 HEV-EV DC-DC 转换器
- 汽车 HEV-EV 车载充电器
- 工业电源
- PFC
- 太阳能
- UPS
- 焊接
Other Wide Bandgap Solutions
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
|  | NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1498 - 立即发货 | $49.57 | 查看详情 |
|  | NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 2884 - 立即发货 12000 - 厂方库存 | $46.56 | 查看详情 |
| | NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
发布日期： 2020-04-02
