1200 V EliteSiC 二极管

onsemi 碳化硅 (SiC) 二极管的优势包括更快的工作频率、更高的功率密度和更低的 EMI

onsemi 1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管图片onsemi EliteSiC 肖特基二极管与硅相比,其使用的技术可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度独立的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI、更低的系统尺寸和成本。

特性
  • 易于并联
  • 高浪涌电流电容
  • 最高结温:+175°C
  • 没有反向恢复/没有正向恢复
  • 高开关频率
  • 低正向电压 (VF)
  • 正温度系数
  • 通过 AEC-Q101 鉴定,支持 PPAP
应用
  • 汽车 HEV-EV DC/DC 转换器
  • 汽车 HEV-EV 车载充电器
  • 工业电源
  • PFC
  • 太阳能
  • UPS
  • 焊接

1200 V EliteSiC Diodes

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发布日期: 2020-04-02