1200 V EliteSiC 二极管

            1200 V EliteSiC 二极管
  
                    onsemi 碳化硅 (SiC) 二极管的优势包括更快的工作频率、更高的功率密度和更低的 EMI

onsemi 1200 V 碳化硅 (SiC) 二极管图片 onsemi EliteSiC 肖特基二极管与硅相比，其使用的技术可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度独立的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI、更低的系统尺寸和成本。

特性

易于并联
高浪涌电流电容
最高结温：+175°C
没有反向恢复/没有正向恢复
高开关频率
低正向电压 (V_F)
正温度系数
通过 AEC-Q101 鉴定，支持 PPAP

应用

汽车 HEV-EV DC/DC 转换器
汽车 HEV-EV 车载充电器
工业电源
PFC
太阳能
UPS
焊接

1200 V EliteSiC Diodes

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
FFSP05120A	DIODE SIL CARBIDE 1.2KV TO220-2L	0 - 立即发货	$20.77	查看详情
FFSH20120A	DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2	368 - 立即发货	$112.47	查看详情
FFSH15120A	DIODE SIL CARB 1.2KV 26A TO247-2	289 - 立即发货	$97.53	查看详情
FFSH30120A	DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2	0 - 立即发货	$92.78	查看详情
FFSH10120A-F155	DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2	180 - 立即发货	$65.27	查看详情
PCFFS05120AF	DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A DIE	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
FFSH20120A-F155	DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2	590 - 立即发货	$95.89	查看详情

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
NTHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
NCD57001DWR2G	DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC	1498 - 立即发货	$42.42	查看详情
NCP51705MNTXG	IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN	3504 - 立即发货 12000 - 厂方库存	$39.02	查看详情
NTHL080N120SC1	SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情