1200 V EliteSiC 二极管
onsemi 碳化硅 (SiC) 二极管的优势包括更快的工作频率、更高的功率密度和更低的 EMI
onsemi EliteSiC 肖特基二极管与硅相比,其使用的技术可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度独立的开关特性和出色的热性能,使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI、更低的系统尺寸和成本。
特性
- 易于并联
- 高浪涌电流电容
- 最高结温:+175°C
- 没有反向恢复/没有正向恢复
- 高开关频率
- 低正向电压 (VF)
- 正温度系数
- 通过 AEC-Q101 鉴定,支持 PPAP
应用
- 汽车 HEV-EV DC/DC 转换器
- 汽车 HEV-EV 车载充电器
- 工业电源
- PFC
- 太阳能
- UPS
- 焊接
1200 V EliteSiC Diodes
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
---|---|---|---|---|---|---|
FFSP05120A | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV TO220-2L | 0 - 立即发货 | $20.59 | 查看详情 | ||
FFSH20120A | DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2 | 0 - 立即发货 | $56.03 | 查看详情 | ||
FFSH15120A | DIODE SIL CARB 1.2KV 26A TO247-2 | 229 - 立即发货 | $83.60 | 查看详情 | ||
FFSH30120A | DIODE SIL CARB 1.2KV 46A TO247-2 | 0 - 立即发货 | $91.99 | 查看详情 | ||
FFSH10120A-F155 | DIODE SIL CARB 1.2KV 17A TO247-2 | 180 - 立即发货 | $64.71 | 查看详情 | ||
PCFFS05120AF | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A DIE | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 | ||
FFSH20120A-F155 | DIODE SIL CARB 1.2KV 30A TO247-2 | 590 - 立即发货 | $96.87 | 查看详情 |
Other Wide Bandgap Solutions
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
---|---|---|---|---|---|---|
NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 | ||
NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1498 - 立即发货 | $40.62 | 查看详情 | ||
NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 2884 - 立即发货 12000 - 厂方库存 | $44.12 | 查看详情 | ||
NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |
发布日期: 2020-04-02