共源共栅 GaN FET

Nexperia GaN FET 提供电力系统的性能、效率和可靠性

Nexperia 的 Cascode GaN FET 图像Nexperia 共源共栅 GaN FET 具有高功率密度、性能和开关频率。GaN 具有极高的电子迁移率,因此可以制造出具有低导通电阻和极高开关频率能力的器件,这对于下一代电力系统(例如工业 4.0 和可再生能源应用)至关重要。独特的共源共栅 GaN FET 解决方案有助于使用众所周知的 Si MOSFET 栅极驱动器轻松驱动设备。它们提供无与伦比的高结温 [Tj(max) = +175°C]、设计自由度以及提高电力系统的可靠性。

Cascode GaN FETs

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650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (950 - 立即发货$156.45查看详情
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247280 - 立即发货$62.52查看详情
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - 立即发货$96.87查看详情
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS985 - 立即发货$104.03查看详情
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247146 - 立即发货$134.64查看详情
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3547 - 立即发货$158.16查看详情
发布日期: 2024-09-04