共源共栅 GaN FET
Nexperia GaN FET 提供电力系统的性能、效率和可靠性
Nexperia 共源共栅 GaN FET 具有高功率密度、性能和开关频率。GaN 具有极高的电子迁移率,因此可以制造出具有低导通电阻和极高开关频率能力的器件,这对于下一代电力系统(例如工业 4.0 和可再生能源应用)至关重要。独特的共源共栅 GaN FET 解决方案有助于使用众所周知的 Si MOSFET 栅极驱动器轻松驱动设备。它们提供无与伦比的高结温 [Tj(max) = +175°C]、设计自由度以及提高电力系统的可靠性。
Cascode GaN FETs
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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GAN039-650NBBHP | 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( | 950 - 立即发货 | $156.45 | 查看详情 | ||
GAN111-650WSBQ | GAN111-650WSB/SOT429/TO-247 | 280 - 立即发货 | $62.52 | 查看详情 | ||
GAN039-650NTBZ | 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( | 0 - 立即发货 | $96.87 | 查看详情 | ||
GAN039-650NTBJ | GAN CASCODE FETS | 985 - 立即发货 | $104.03 | 查看详情 | ||
GAN041-650WSBQ | GAN041-650WSB/SOT429/TO-247 | 146 - 立即发货 | $134.64 | 查看详情 | ||
GAN063-650WSAQ | GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 547 - 立即发货 | $158.16 | 查看详情 |
发布日期: 2024-09-04