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共源共栅 GaN FET
Nexperia GaN FET 提供电力系统的性能、效率和可靠性
Nexperia 共源共栅 GaN FET 具有高功率密度、性能和开关频率。GaN 具有极高的电子迁移率，因此可以制造出具有低导通电阻和极高开关频率能力的器件，这对于下一代电力系统（例如工业 4.0 和可再生能源应用）至关重要。独特的共源共栅 GaN FET 解决方案有助于使用众所周知的 Si MOSFET 栅极驱动器轻松驱动设备。它们提供无与伦比的高结温 [Tj(max) = +175°C]、设计自由度以及提高电力系统的可靠性。
Cascode GaN FETs
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | GAN039-650NBBHP | 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( | 950 - 立即发货 | $138.05 | 查看详情 | |
 | GAN111-650WSBQ | GAN111-650WSB/SOT429/TO-247 | 0 - 立即发货 | $86.44 | 查看详情 | |
 | GAN039-650NTBZ | 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( | 0 - 立即发货 | $96.86 | 查看详情 | |
| GAN039-650NTBJ | GAN CASCODE FETS | 0 - 立即发货 | $114.85 | 查看详情 | |
 |  | GAN041-650WSBQ | GAN041-650WSB/SOT429/TO-247 | 150 - 立即发货 | $134.63 | 查看详情 |
| | GAN063-650WSAQ | GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 557 - 立即发货 | $158.15 | 查看详情 |
发布日期： 2024-09-04
