Nexperia

共源共栅 GaN FET

Nexperia GaN FET 提供电力系统的性能、效率和可靠性

Nexperia 的 Cascode GaN FET 图像Nexperia 共源共栅 GaN FET 具有高功率密度、性能和开关频率。GaN 具有极高的电子迁移率，因此可以制造出具有低导通电阻和极高开关频率能力的器件，这对于下一代电力系统（例如工业 4.0 和可再生能源应用）至关重要。独特的共源共栅 GaN FET 解决方案有助于使用众所周知的 Si MOSFET 栅极驱动器轻松驱动设备。它们提供无与伦比的高结温 [Tj(max) = +175°C]、设计自由度以及提高电力系统的可靠性。

发布日期： 2024-09-04

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