Good-Ark Semiconductor

GSJA65R041 低噪声超级结 MOSFET

Good-Ark Semiconductor 的 650 V、70 A、37 mΩ N 沟道 MOSFET 采用 TO-247 封装

Image of Good-Ark GSJA65R041 Low-Noise Super Junction MOSFETsGood-Ark Semiconductor 的 GSJA65R041 是一款 650 V、70 A、37 mΩ N 沟道低噪声超级结 MOSFET，旨在满足噪声敏感应用的需求，包括注重噪声抑制和低功耗的电机驱动器。

GSJA65R041 采用 Good-Ark Semiconductor 的多 EPI 技术，具有优化的单元结构，可降低噪音和瞬时振荡，同时凭借出色的开关速度和卓越的 dv/dt 能力实现低功耗。

该器件为设计工程师提供了更大的灵活性，可以在保持快速反向恢复时间 (Trr)、低反向恢复电荷 (Qrr) 并最大程度降低 EMI 和开关损耗的同时平衡降噪。GSJA65R041 采用 TO-247 封装，是电动汽车充电器、服务器备用电源、笔记本电脑适配器和充电器、LED 照明和光伏逆变器的理想选择。

特性
  • 低噪声和低栅极电荷
  • 一流的导通电阻
  • 高功率密度和效率
  • 低开关和传导损耗
  • 低反向恢复电荷和时间
 
  • 减少过冲
  • 更大的设计灵活性，以平衡降噪和功耗
  • 开关速度快，dv/dt 能力出色
具体规格
  • ID: 70 A（最大）
  • VDS: 650 V（最大）
  • VGS: ±30（最大）
  • VGS(TH): 3.0 V（最小）VDS = VGS 和 ID = 250 µA 时 5.0（最大）
  • RDS(ON): ID = 35 A 和 VGS = 10 V 时为 37 mΩ（典型值），41 mΩ（最大）
 
  • QGD: VDD = 480 V、ID = 50 A 且 VGS = 10 V 时 210 nC（典型值）
  • QG: VDD = 480 V、ID = 50 A 且 VGS = 10 V 时 326 nC（典型值）
  • Ciss: 7,132 pF
  • TJ, TSTG: -55°C 至 +150°C
应用
  • 服务器和 UPS
  • 电动汽车充电器和光伏逆变器
 
  • 太阳能和电信
  • 笔记本电脑适配器

GSJA65R041 Low-Noise Super Junction MOSFET

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
MOSFET, N-CH, SINGLE, 70.00A, 65GSJA65R041MOSFET, N-CH, SINGLE, 70.00A, 65N 通道MOSFET（金属氧化物）650 V587 - 立即发货
1 : ¥79.72
管件
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发布日期： 2024-07-01