Good-Ark Semiconductor

GSGP0R703 超低 RDS(ON) 30 V SGT MOSFET

Good-Ark Semiconductor 的 282 A、0.55 mΩ N 沟道 MOSFET 采用紧凑型 PPAK5x6 封装

Image of Good-Ark GSGP0R703 Ultra-Low RDS(ON) 30 V SGT MOSFETsGood-Ark Semiconductor 的 GSGP0R703 是一款 30 V 282 A N 沟道 SGT MOSFET，具有 30 A ID 和 10V VGS 下 0.55 mΩ 的超低 RDS(ON)。GSGP0R703 采用分栅技术 (SGT) 和先进的夹片粘合工艺来实现出色的 FOM 性能，从而最大限度减少开关和传导损耗。GSGP0R703 采用紧凑型 PPAK5x6 封装，非常适合 DC/DC 转换器、同步整流、服务器板载电源、电机控制以及需要高开关性能和最佳效率的高功率密度负载点。

特性
  • 同类最佳导通电阻：0.55 mΩ（典型值）
  • 高电流密度
  • 降低栅极电荷
  • 低开关和传导损耗
  • QGD 更低，减少米勒电荷耦合
 
  • 小封装，高功率密度
  • 更好的 EMI 行为
  • 节约成本
  • 出色的 FOM 性能：
具体规格
  • ID: 282 A（最大）
  • VDS: 30 V（最大）
  • VGS: ±20（最大）
  • VGS(TH): 1.3 V（最小）VDS = VGS 且 ID = 250 µA 时 2.3（最大值）
  • RDS(ON): ID = 30 A 和 VGS = 10 V 时为 0.55 mΩ（典型值），0.70 mΩ（最大）
 
  • QGD: VDD = 15 V, ID = 45 A，且 VGS = 10 V 时 7.7 nC（典型值）
  • QG: VDD = 15 V, ID = 45 A，且 VGS = 10 V 时 122 nC（典型值）
  • Ciss: 9,045 pF
  • TJ, TSTG: -55°C 至 +150°C
应用
  • DC/DC 转换
  • 高频开关
  • 同步整流
 
  • 电机控制
  • 工业级 SMPS

GSGP0R703 30 V SGT MOSFET

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3GSGP0R703MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3N 通道MOSFET（金属氧化物）30 V4855 - 立即发货
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发布日期： 2024-07-01