第 5 代 eGaN® FET

EPC 第 5 代的推出标志着向全新性能领域跨出了一大步。该最新一代技术不仅将器件的尺寸减小至第 4 eGaN FET 的一半，而且将性能提升三倍。如此之大的成本降低和性能提升创造了一种“良性循环”，正使得 eGaN FET 比 IC 以及逐渐过时的功率 MOSFET 拥有更大的性能和成本优势。

特性

• 小封装 - 巨大的性能提升
  • 在 100 V 电压下，eGaN FET 的 R_DS(ON) x 芯片面积是最新硅晶 MOSFET 的 4 倍之多
  • 在 200 V 电压下，该优势猛增到 16 倍
• 提升了品质因数 (FOM)
  • 最新一代 eGaN FET 在 100 V 电压下的优势为硅晶器件的四倍，而在 200 V 电压这种优势达到了 8 倍，适用于在高频电源转换应用中提升开关性能。
• 应用从性能提升中获得很大益处
  • 例如，在 48 V 至 5 V 电路中以及 500 kHz 开关频率下，100 V EPC2045 相比最具竞争力的 MOSFET，功率损耗减少了 30% 且能效提高了 2.5%。