EPC2051 100VeGaN® 功率晶体管

EPC 的 EPC2051 是同类硅芯片 1/30 且在 500 kHz 时的效率为 97%

EPC 的 EPC2051 100 V eGaN 功率晶体管图EPC 的 EPC2051 100 V eGaN 功率晶体管具有 25mΩ 最大 RDS(on) 和 37 A 脉冲输出电流,在 1.1 mm2 的封装内实现了高效电源转换。

尽管封装小,但 EPC2051 在 4A 输出时效率可达 97%,而且在 50 V 至 12 V 降压转换器中工作时则可在 500 kHz 下切换。此外,EPC2051 的低成本使 GaN FET 的性能与同价格的硅 MOSFET 媲美。受益于此性能、小尺寸和低成本的应用包括用于计算和电信系统的 48 V 输入电源转换器、LiDAR、LED 照明和 D 类音频。

特性 应用
  • 高能效
    • 在 DC/DC 转换中 500 kHz 下的效率为 97%
  • 小基底面
    • 低电感、极小外形、1.30 mm x 0.85 mm BGA 表面贴装钝化芯片
  • DC/DC 电源转换
  • LIDAR
  • LED 照明
  • D 类音频

EPC2051 100 V eGaN® Power Transistor

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EVAL BOARD FOR EPC2051EPC9091EVAL BOARD FOR EPC205113 - 立即发货
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发布日期: 2018-09-07