EPC2152 80 V,12.5 A 集成式 ePower™ 级单芯片驱动器

EPC 的 EPC2152 芯片级 LGA 封装器件尺寸仅为 3.9 mm x 2.6 mm x 0.8 mm

Image of EPC's EPC2152 80 V, 12.5 A Integrated ePower™ Stage Single-Chip DriverEPC 的 EPC2152 是单芯片驱动器和 eGaN® FET 半桥功率级。使用 EPC 的专有 GaN IC 技术实现集成。输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路以及配置为半桥的 eGaN 输出 FET 集成在单片芯片中。这一 LGA 芯片级封装器件尺寸仅为 3.9 mm x 2.6 mm x 0.8 mm。

EPC90120 开发板是最大电压为 80 V,最大输出半桥为 12.5 A,并使用 EPC2152 进行栅极驱动。开发板尺寸为 2” x 2”,包含一个半桥配置的 EPC2152 集成 ePower 平台。EPC90120 可设置为降压或升压转换器。

特性
  • VIN 工作范围高达 60 V
  • RDS(on) 高压侧和低压侧 FET 的电阻为 10 mΩ
  • 高达 12.5 A 的输出负载电流
  • PWM 频率大于 1 MHz
  • 大电流输出节点的开关时间为 1 ns
  • 输出节点的虚假触发抗扰度大于 60 V/ns
  • 标称 12 V 高压侧和低压侧电源
 
  • 同步充电,用于高压侧自举电源
  • 适用于高压侧和低压侧电源的 UVLO 保护
  • 稳定的栅极驱动缓冲器输出,以安全的工作水平驱动输出 FET
  • 输入信号兼容 TTL 逻辑电平
  • 最小 20 ns 输入脉冲宽度
  • 从输入到输出的延迟时间为 20 ns
应用
  • 48 VIN DC/DC 转换器
  • 半桥、全桥或 LLC 隔离转换器
 
  • D 类开关音频放大器
  • 单相和三相电机驱动变频器

EPC2152 80 V, 12.5 A Integrated ePower™ Stage Single-Chip Driver

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IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGAEPC2152ENGRTIC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA23868 - 立即发货查看详情

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BOARD DEV EPC2152 EPOWER STAGEEPC90120BOARD DEV EPC2152 EPOWER STAGE7 - 立即发货$1,628.02查看详情
发布日期: 2020-03-17