DMTH6010 双 N 沟道增强型 MOSFET

Diodes 的 MOSFET 是高温环境的理想选择

Diodes DMTH6010 双 N 沟道增强型 MOSFET 的图片DiodesDMTH6010 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AEC-Q101 标准,有 PPAP 支持,非常适合用于各种应用,包括发动机管理系统、DC/DC 转换器和车身控制电子设备。DMTH6010 的额定温度为 +175°C,非常适合高温环境。它具有开关速度快、输入电容低和转换效率高的特点。该器件不含铅,符合 RoHS 标准,不含卤素和锑,是一款“绿色”设备。

特性
  • 输入电容低
  • 额定温度为 +175°C(高温环境的理想选择)
  • 100% 非感性箝位开关 (UIS) 生产测试,确保更可靠和稳健的终端应用
  • 开关速度快
  • 转换效率高
  • 无铅且符合 RoHS 规范
  • 无卤素和无锑的“绿色”环保器件
  • 通过 AEC-Q101 鉴定,具有 PPAP 支持
应用
  • 发动机管理系统
  • DC/DC 转换器
  • 车身控制电子设备

DMTH6010 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50DMTH6010LPDQ-13MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI5020867 - 立即发货
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发布日期: 2022-12-28