DMTH4008LFDFWQ/DMTH6016LFDFWQ MOSFET - Diodes

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            DMTH4008LFDFWQ/DMTH6016LFDFWQ 符合汽车标准的 MOSFET
  
                    Diodes 的 MOSFET 具有业界领先的性能，采用纤巧的 DFN2020 封装

Diodes 的 DMTHxxxxLFDFWQ 汽车兼容 MOSFET 图片 Diodes 的 40 V DMTH4008LFDFWQ 和 60 V DMTH6016LFDFWQ 是符合汽车标准的 MOSFET，采用纤巧 DFN2020 封装，最高结温为 +175ºC。这些器件具有业界领先的 R_DS(ON) 和栅极电荷。这些小型 MOSFET 占据较大封装（如 SOT223）PCB 面积的 10%。这种小尺寸可在 DC/DC 转换器、LED 背光、ADAS 和其他引擎盖下的汽车应用中实现更高的功率密度。

与典型应用（如 12 V、5 A 降压转换器）相比，DMTH4008LFDFWQ 的功耗比同类 MOSFET 低 20%。这种效率的显著提高为汽车设计人员提供了更大的灵活性，并可自由地在新的或现有的汽车应用中提高功率密度。DMTH4008LFDFWQ 具有典型的 11.5mΩ (V_GS = 10 V) R_DS(ON)，栅极电荷 (Q_G) 14.2 nC。DMTH6016LFDFWQ 具有典型的 13.8 mΩ (V_GS = 10 V) R_DS(ON)，栅极电荷 (Q_G) 15.2 nC。

特性

低品质因数 (R_DS(ON) x Q_G) 最小化功率损耗并提高效率
最高结温 +175°C 是高环境温度环境的理想选择
低结至外壳热阻 (<10°C/W) 可实现高功率密度
PCB 基底面 (4 mm x 4 mm) 占据 SOT223 等较大封装 PCB 面积的 10%
符合汽车规范
- 符合 AECQ-101 标准
- 支持 PPAP
- 在 IATH 16949:2016 认证设施制造

应用

仪表组
信息娱乐系统

头戴式显示器
辅助驾驶系统

DMTH4008LFDFWQ/DMTH6016LFDFWQ Automotive-Compliant MOSFETs

	图片	制造商零件编号	描述	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	可供货数量	价格	查看详情
		DMTH4008LFDFWQ-13	MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN	4.5V，10V	11.5 毫欧 @ 10A，10V	14.2 nC @ 10 V	8863 - 立即发货 290000 - 厂方库存	$4.84	查看详情
		DMTH6016LFDFWQ-7R	MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN	4.5V，10V	18 毫欧 @ 10A，10V	15.3 nC @ 10 V	7202 - 立即发货 1131000 - 厂方库存	$6.49	查看详情