下面的研究结果来源于onsemi。onsemi通过对碳化硅（planer SiC）和硅（Si）的栅极氧化层，不断充电直到损坏的方式（Charge to Failure）（QBD），来比较栅极氧化层的质量。
如下所示，相同厚度的碳化硅（planer SiC）和硅（Si）的栅极氧化层，在击穿和寿命方面对比。
图1. 对碳化硅（planer SiC）和硅（Si）的栅极氧化层对比（图片来源：onsemi）
在室温下，通过正向偏置栅极施加5 mA/cm²电流时，碳化硅（SiC）NMOS电容器、1200V 40 mΩ碳化硅MOSFET以及硅MOSFET产品的QBD测量结果。on semi碳化硅（planer SiC），在相同名义栅极氧化层厚度下，QBD性能比硅（Si）高出50倍。（研究结果来源于onsemi）
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