本产品选择指南包含的相关信息有助于客户在DigiKey.cn上选择“分立半导体产品 - 晶体管 - 单FET，Mos管”类别产品。
单FET，Mos管 - 分立场效应晶体管（FET）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）广泛应用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用中。它们具有在高频下能够进行快速开关并承载大量电流的特性，这在许多应用中非常有优势。它们几乎普遍用于需要电压等级为几百伏特或以下的应用中，不过在此电压等级以上的情况中，其他器件类型（如IGBT）将更具竞争力。
选择特性
以下规格用于确定哪种FET/Mos管适合你的应用。
FET 类型： FET沟道类型；在典型使用中会影响施加在器件上的电压的极性。
技术： 通常用于标识器件的材料成分。
可用技术
GaNFET
共源共栅氮化镓FET
GaNFET
氮化镓FET
Mos管
金属氧化物FET
SiC
碳化硅
SiCFET
碳化硅FET
漏源电压： 器件额定承受的漏极和源极之间的最大电压。给出的是厂商额定值的大小。
25 ℃ 下的连续漏极电流（ ID ）： 厂商指定的最大漏极电流，要求保持机壳（Tc）或环境温度（Ta）为25℃。实际应用中的允许值受热限制影响，可能远小于指定值。
驱动电压（ rds On 最大值， Rds On 最小值）： 表示器件导通状态电阻在厂商定义的栅源电压下的数值特性。
Id ， Vgs 下的 Rds On （最大值）： 厂商在指定测试条件下测量的最大导通状态漏源电阻。请参阅规格书，了解适用的热测试条件。
Id 下的 Vgs(th) （最大值）： 表示器件的栅源电压达到足够使指定电流通过的数值大小。
Vgs 下的栅极电荷（ Qg ）（最大值）： 表征在厂商定义的测试条件下，将应用的栅源电压从零变为所示值所需的电荷量。
Vgs （最大值）： 器件的栅极和源极之间可以承受的最大电压，超过该电压可能会导致损坏。
Vds 下的输入电容（ Ciss ）（最大值）： 表征器件的寄生栅漏和栅源电容之和，在指定的漏源电压下进行测量。
FET 特性： 指示器件结构或工作特性的区别之处。
可用功能
电流感测
现代功率Mos管由数千个相同的晶体管单元并联连接而成，以最小化总体导通电阻（RDS(ON)）。电流感测Mos管使用这些并联单元的一小部分来形成第二个低功率Mos管（也称为senseFET），它与功率器件隔离，具有共用的栅极和漏极，但拥有独立的源极，并通过一个传感引脚引出。有关电流感测的更多信息，请访问如何选择和应用智能电流感测和监测技术。
耗尽型
表示器件将在零栅源电压状态下接通。
逻辑电平门，4V驱动
表示器件可以用许多集成电路（IC）使用的4-5V的典型逻辑电平电压驱动。
肖特基二极管（本体）
结合肖特基二极管，以防器件达到饱和，从而缩短开关时间。
肖特基二极管（隔离）
包含肖特基二极管，但与器件相隔离，与包含在器件中的本体二极管不同。
标准
温度检测二极管
结合温度传感技术，通常在达到一定温度时箝位电流，以防止过热的情况。
功率耗散（最大值）： 表征在指定的工作条件下，产生指定的内部器件温度（通常是额定最大值）的设备所耗功率的大小。
工作温度： 推荐的工作温度，通常以范围或最大值给出。超过这些温度可能会影响性能或损坏器件和其他系统组件。
安装类型： 表示器件的安装方式。
可用的安装类型
底座安装
安装到金属底座上。
表面贴装
具有与PCB上的焊盘相连的引脚或垫，通过焊接进行固定，形成电力和机械连接。表面贴装器件有三种基本类型的引脚（引线）。
引脚类型
鸥翼引脚：与J型引脚相比，鸥翼引脚可在每英寸空间中放置最多数量的引脚，但它们也更加脆弱。焊接后易于检查缺陷。
J型引脚：每英寸放置的数量少于鸥翼引脚，但它们更坚韧，不易断裂。
扁平引脚：必须采用保护性包装，以防引脚受损。在使用之前，必须使用一种单独的设备将该引脚制成鸥翼形状。因此，这是最不受欢迎的引脚类型。
表面贴装、可润湿侧翼
可润湿侧翼是指一种特殊的设计，其中IC的安装边缘有一个圆角，可让你查看并测试焊盘上的连接是否正确，而焊盘在焊接到电路板上之后，大部分情况下是看不到的。这有助于检查诸如QFN之类的封装。
通孔
可让引脚穿过PCB上的预钻孔，并焊接在通电和机械连接的地方。
供应商器件封装： 这是厂商对该器件的封装的称呼。这是特定于厂商的。通常来说，在设计电路时，最好使用规格书中的实际尺寸，而不是根据此术语进行选择。
封装 / 外壳： 是指电子元件上使用的保护性外壳类型，以便于搬运、安装和保护。此选择是根据最接近适用于供应商器件包装的行业标准确定的。通常来说，在设计电路时，最好根据规格书中的实际尺寸进行检查，而不是依赖于此术语。
产品示例
| 厂商零件编号 | EPC2036 |
|---|---|
| DigiKey零件编号 | 917-1100-2-ND - 卷带（TR） |
| 厂商 | EPC |
| 描述 | N沟道100 V 1.7A (Ta)表面贴装裸片 |
| 规格书 | 点击此处 |
| 厂商零件编号 | SCT3080ALGC11 |
|---|---|
| DigiKey零件编号 | SCT3080ALGC11-ND |
| 厂商 | Rohm Semiconductor |
| 描述 | N沟道650 V 30A (Tc) 134W (Tc)通孔TO-247N |
| 规格书 | 点击此处 |
| 厂商零件编号 | IXFN180N15P |
|---|---|
| DigiKey零件编号 | IXFN180N15P-ND |
| 厂商 | IXYS |
| 描述 | N沟道150 V 150A (Tc) 680W (Tc)底座安装SOT-227B |
| 规格书 | 点击此处 |
| 厂商零件编号 | NTMTSC1D6N10MCTXG |
|---|---|
| DigiKey零件编号 | 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - 卷带（TR） |
| 厂商 | 安森美（Onsemi） |
| 描述 | N沟道100 V 35A (Ta)，267A (Tc) 5.1W (Ta)，291W (Tc)表面贴装，可润湿侧翼8-TDFNW (8.3x8.4) |
| 规格书 | 点击此处 |
电路图 符号
N 沟道增强型 1 -----------P 沟道增强型 1 ------N 沟道耗尽型 1 -------P 沟道耗尽型 1 -------N 沟道增强型 2
P 沟道增强型 2 ----------N 沟道耗尽型 2 -------P 沟道耗尽型 2 -----N 沟道双栅极耗尽型 1 —N 沟道增强型 3
P 沟道增强型 3 ------------N 沟道耗尽型 3 ----------P 沟道耗尽型 3 ---------N 沟道增强型 4 ---------P 沟道增强型 4
N 沟道耗尽型 4 ------------P 沟道耗尽型 4 ----------N 沟道双栅极耗尽型 2 -----P 沟道双栅极耗尽型 1
P 沟道双栅极耗尽型 2 ----Mos 管 P 沟道 -----Mos 管 N 沟道
电路图符号由Scheme-It提供。请访问其网站，了解更多信息和符号。
资料链接
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