这篇文章讲的是有关Digi-Key代理的的场效应晶体管（FET/MOSFET）的信息。
缩略词词汇表
| 首字母缩略词 | 定义 |
|---|---|
| BJT | 双极结晶体管 |
| CMOS | 互补金属氧化物半导体 |
| RDS(ON) | 漏极-源极导通电阻 |
| FET | 场效应晶体管 |
| PHEMT | 高电子迁移率晶体管 |
晶体管-场效应晶体管（FET），MOSFET-单
场效应晶体管（FET）是一种使用电场来控制半导体材料中一种类型的电荷载流子的沟道的形状和导电性的晶体管。FET是单极晶体管，因为它们涉及单载波类型的操作。FET的概念早于BJT，尽管由于半导体材料的限制以及与当时的FET相比制造BJT相对容易，直到BJT之后才在物理上实现。场效应晶体管的基本原理于1925年由Julius Edgar Lilienfeld首次获得专利。
金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET、MOS-FET或MOS FET）是一种用于放大或切换电子信号的晶体管。尽管MOSFET是一种具有源极（S）、栅极（G）、漏极（D）和主体（B）端子的四端子器件，但MOSFET的主体（或衬底）通常连接到源极端子，使其像其他场效应晶体管一样成为三端子器件。因为这两个端子通常在内部相互连接（短路），所以在电路图中只出现三个端子。MOSFET是迄今为止数字和模拟电路中最常见的晶体管，尽管双极结晶体管一度更为常见。
氮化镓场效应晶体管（GaNFET）生长在硅片上，并利用过去55年来开发的基础设施，使用标准CMOS设备进行处理。GaN异常高的电子迁移率和低温系数允许非常低的RDS（ON），而其横向器件结构和多数载流子二极管提供异常低的总栅极电荷（QG）和零源极-漏极恢复电荷（QRR）。其结果是，该设备可以处理非常高的开关频率和低导通时间有益的任务，以及导通损耗占主导地位的任务。
来源：维基百科-场效应晶体管
符号
示例：
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N沟道-MOSFET - n-MOSFET
p沟道-MOSFET - p-MOSFET
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产品参数
A. FET 类型
B. 技术
C. 漏源电压（Vdss）
D. 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
E. 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
F. 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
G. 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
H. 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
I. Vgs（最大值）
J. 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
K. FET 功能
L. 功率耗散（最大值）
M. 工作温度
N. 安装类型
O. 供应商器件封装
P. 封装/外壳
产品示例
表面贴装 SOT-323
| 制造商产品编号 | 2N7002W-7-F |
|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | 2N7002W-FDITR-ND |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 详细描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 115mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323 |
| 规格书 | 点击这里 |
通孔 TO-220
| 制造商产品编号 | STP60NF06 |
|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | 497-STP60NF06-ND |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 详细描述 | 通孔 N 通道 60 V 60A（Tc） 110W（Tc） TO-220 |
| 规格书 | 点击此处 |
底座安装
| 制造商产品编号 | IXFN160N30T |
|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | IXFN160N30T-ND |
| 制造商 | IXYS |
| 详细描述 | 底座安装 N 通道 300 V 130A（Tc） 900W（Tc） SOT-227B |
| 规格书 | 点击此处 |
晶体管–FET、MOSFET 阵列
产品属性 :
A. FET 类型
B. FET 功能
C. 漏源电压（Vdss）
D. 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
E. 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
F. 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
G. 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
H. 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
I. 功率 - 最大值
J. 工作温度
K. 安装类型
L. 封装/外壳
M. 供应商器件封装
产品示例 :
8-DFN，2 N-通道（双）
| 制造商产品编号 | AON7804 |
|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | 785-1586-2-ND |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 详细描述 | MOSFET - 阵列 30V 9A 3.1W 表面贴装型 8-DFN（3x3） |
| 规格书 | 点击此处 |
12-SIP，5 N 沟道，共源
| 制造商产品编号 | SLA5085 |
|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | SLA5085-ND |
| 制造商 | Sanken |
| 详细描述 | MOSFET - 阵列 60V 10A 5W 通孔 12-SIP |
| 规格书 | 点击此处 |
晶体管– FETs, MOSFETs – 射频
高电子迁移率晶体管（HEMT），也称为异质结构FET（HFET）或调制掺杂FET（MODFET），是一种场效应晶体管，包括两种具有不同带隙的材料之间的结（异质结）作为沟道，而不是像MOSFET通常的情况那样作为掺杂区。HEMT晶体管可以在比普通晶体管更高的频率下工作，最高可达毫米波频率，并用于手机、卫星电视接收机和雷达设备等高频产品。
横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管用于RF/微波功率放大器。这些晶体管是通过在更高掺杂的硅衬底上的外延硅层制造的。金属半导体场效应晶体管（MESFET）在结构和术语上很像结型场效应晶体管。不同之处在于，不是使用p-n结作为栅极，而是使用肖特基（金属半导体）结。MESFET通常在缺乏高质量表面钝化的化合物半导体技术中构建，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）或碳化硅（SiC），并且比硅基JFET或MOSFET更快但更昂贵。
来源：维基百科-高电子迁移率晶体管
产品属性：
A. 晶体管类型
B. 频率
C. 增益
D. 电压 - 测试
E. 额定电流（安培）
F. 噪声系数
G. 电流 - 测试
H. 功率 - 输出
I. 电压 - 额定
J. 封装/外壳
K. 供应商器件封装
产品示例 :
HEMT 类型, 440166 封装
| 制造商产品编号 | CGH27015F |
|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | CGH27015F-ND |
| 制造商 | Wolfspeed, Inc. |
| 详细描述 | RF Mosfet 28 V 100 mA 3GHz 15dB 15W 440166 |
| 规格书 | 点击此处 |
pHEMT 类型, 4-Micro-X 封装
| 制造商产品编号 | CE3512K2 |
|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | CE3512K2-ND |
| 制造商 | CEL |
| 详细描述 | RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13.7dB 125mW 4-Micro-X |
| 规格书 | 点击此处 |
MOSFET 类型, T2 封装
| 制造商产品编号 | VRF154FL |
|---|---|
| Digi-Key 零件编号 | VRF154FL-ND |
| 制造商 | Microchip Technology |
| 详细描述 | RF Mosfet 50 V 800 mA 80MHz 17dB 600W T2 |
| 规格书 | 点击此处 |
FET 的其他技术
- 倒T型场效应晶体管（ITFET）
- 多栅极场效应晶体管（MuGFET）
- 多独立栅极场效应晶体管（MIGFET）
- 快速反向外延二极管场效应晶体管（FREDFET）
- 有机场效应晶体管（OFET）
- 电解质氧化物半导体场效应晶体管（EOSFET）
- 脱氧核糖核酸场效应晶体管（DNAFET）