一般来说，eGaN FET应该被视为其他类型的Mos管，请注意，它确实能够支持更高性能的操作，因为它的总栅极电荷（Qg)和CRSS相对较低。一些一般准则：
- 用5V驱动栅极，保持最大栅极电压低于5.5 V。你可以使用有几种IC来简化这项任务。
- 最小化栅源电路阻抗。建议尽量缩小栅源环路的大小，即使以延长漏极电路的路径为代价。
- 使用低阻抗驱动器
- 厂商专为优化eGaN FET的性能开发了驱动器IC电路。如需查看目前可用的eGaN FET优化IC，请参见eGaN驱动器和控制器页面。
使用增强模 GaN-on-Silicon 功率 FET应用说明提供了更多信息。此外，你还可以在eGaN FET和IC产品选择器指南页面上的所有EPC规格书中找到最小化阻抗的焊盘布局。《Efficient Power Conversion的GaN晶体管》第3章中对此内容进行了详细说明。如需详细了解最小化开关时间和电压超调的布局技术，请参见白皮书寄生对性能的影响和白皮书优化PCB布局。你也可以观看相关的视频：“如何使用GaN 05：设计基本信息——布局”。
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