eGaN FET可以并联吗？如果可以，那么良好设计的关键要素是什么？

[Lashley_Wang]

eGaN器件是正温度系数器件，也是并联操作的理想选择之一。然而，由于这些器件的切换速度比标准硅FET快10倍，因此必须特别注意这种配置的布板和输出。EPC发布了一个应用说明，标注了最佳并联配置。请参见适用于大电流和高频应用的有效并 联 氮化镓晶体管应用说明。

 

内容由EPC（Efficient Power Conversion）支持论坛提供：

Can eGaN FETs be paralleled? If so what are the key elements for a good design?

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