Vishay General Semiconductor - Diodes Division

第三代 1,200 V SiC 肖特基二极管

Vishay 二极管提高开关电源设计的效率和可靠性

Vishay 第三代 1,200 V SiC 肖特基二极管图片Vishay 第 3 代 1,200 V 碳化硅肖特基二极管采用合并 PIN 肖特基 (MPS) 设计。它们将高浪涌电流稳健性与低正向压降、电容电荷和反向漏电流相结合，以提高开关电源设计的效率和可靠性。该二极管的 MPS 结构采用激光退火技术使背面变薄，从而降低了正向压降。该器件的低典型反向漏电流可降低传导损耗，确保轻载和空闲状态下的高系统效率。为了进一步提高效率，与超快二极管不同的是，第三代二极管几乎没有恢复时间。

这些二极管在 FBPS 和 LLC 转换器中提供 AC/DC PFC 和 DC/DC 超高频输出整流，适用于太阳能逆变器、储能系统、工业驱动器和工具以及数据中心等应用。

特性
  • 增强稳健性：
    • 工作温度高达 +175°C
    • 正向浪涌额定值达 260 A
    • CTI 大于或等于 600 的模塑料可确保在高电压下实现出色的电气绝缘（D2PAK 2L 封装）
  • 提升了可靠性：
    • 通过 2,000 小时高温反向偏置 (HTRB) 测试和 2,000 次热循环的温度循环测试
  • 可提供 5 A 至 40 A 的正向电流
  • 采用 TO-220AC 2L、TO-247AD 2L 和 TO-247AD 3L 通孔封装以及 D2PAK 2L (TO-263AB 2L) 表面贴装封装
  • 提高效率：
    • 低正向电压降：低至 1.35 V
    • 低电容电荷：低至 28 nC
    • 低典型反向漏电流：+25°C 时低至 0.3 µA

Gen 3 1,200 V SiC Schottky Diodes

图片制造商零件编号描述不同 If 时电压 - 正向 (Vf)电流 - 平均整流 (Io)可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2024-06-27