Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

80 V UMOS-X 功率 MOSFET

Toshiba 的 MOSFET 可降低开关电源和电机控制设备的传导损耗

Toshiba UMOS-X 80V 功率 MOSFET 的图片Toshiba 的 80 V MOSFET 采用 UMOS-X 沟槽结构，具有出色的 RDS(ON)。这种低电压工艺有助于降低传导损耗，从而总体上有助于降低设备的功耗。这个工艺还继承了上一代的优点，例如低栅极开关电荷。这些 80 V MOSFET 提供低品质因数，它表征了导通电阻和栅极电荷之间的平衡。

这些器件适用于工业设备的开关电源，包括高效 AC/DC 和 DC/DC 转换器。其他应用包括驱动电机控制设备。当前的封装选项包括通孔 TO-220 和隔离式 TO-220SIS，以及表面贴装 DPAK。

特性

  • 低导通电阻：RDS(ON) = 2.44 mΩ（最大值），VGS = 10 V (TK2R4E08QM)
  • 低电荷（输出和栅极开关）
  • 低栅极电压驱动（6 V 驱动）

应用

  • 工业设备用开关电源（高效 AC/DC 转换器、高效 DC/DC 转换器等）
  • 电机控制设备（如电机驱动器）

80 V UMOS-X Power MOSFETs

图片制造商零件编号描述驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）可供货数量价格查看详情
UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHMTK2R4E08QM,S1XUMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM6V，10V3.5V @ 2.2mA178 nC @ 10 V0 - 立即发货$16.80查看详情
UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHMTK7R0E08QM,S1XUMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM6V，10V3.5V @ 500µA39 nC @ 10 V120 - 立即发货$15.71查看详情
UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHMTK3R2A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM6V，10V3.5V @ 1.3mA102 nC @ 10 V0 - 立即发货$11.35查看详情
UMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHMTK5R1A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 5.1MOHM6V，10V3.5V @ 700µA54 nC @ 10 V53 - 立即发货$16.85查看详情
UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHMTK6R9P08QM,RQUMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM6V，10V3.5V @ 500µA39 nC @ 10 V2489 - 立即发货$13.27查看详情
UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHMTK3R3E08QM,S1XUMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM6V，10V3.5V @ 1.3mA110 nC @ 10 V58 - 立即发货$24.34查看详情
UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHMTK5R3E08QM,S1XUMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM6V，10V3.5V @ 700µA55 nC @ 10 V21 - 立即发货$18.07查看详情
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHMTK5R1P08QM,RQUMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM6V，10V3.5V @ 700µA56 nC @ 10 V15393 - 立即发货$15.79查看详情
UMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHMTK2R4A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 2.4MOHM6V，10V3.5V @ 2.2mA179 nC @ 10 V80 - 立即发货$30.44查看详情
UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHMTK6R8A08QM,S4XUMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM6V，10V3.5V @ 500µA39 nC @ 10 V19 - 立即发货$14.16查看详情
发布日期： 2021-08-04