80 V UMOS-X 功率 MOSFET

Toshiba 的 80 V MOSFET 采用 UMOS-X 沟槽结构，具有出色的 R_DS(ON)。这种低电压工艺有助于降低传导损耗，从而总体上有助于降低设备的功耗。这个工艺还继承了上一代的优点，例如低栅极开关电荷。这些 80 V MOSFET 提供低品质因数，它表征了导通电阻和栅极电荷之间的平衡。

这些器件适用于工业设备的开关电源，包括高效 AC/DC 和 DC/DC 转换器。其他应用包括驱动电机控制设备。当前的封装选项包括通孔 TO-220 和隔离式 TO-220SIS，以及表面贴装 DPAK。

特性

• 低导通电阻：R_DS(ON) = 2.44 mΩ（最大值），V_GS = 10 V (TK2R4E08QM)
• 低电荷（输出和栅极开关）
• 低栅极电压驱动（6 V 驱动）

应用

• 工业设备用开关电源（高效 AC/DC 转换器、高效 DC/DC 转换器等）
• 电机控制设备（如电机驱动器）