Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

第五代深沟槽工艺超级结 MOSFET

Toshiba 的 600 V 和 650 V DTMOS V 工艺实现了紧凑的 MOSFET，可在电源开关应用中简化设计导入并降低 EMI 噪声

Toshiba 的第五代深沟槽工艺超级结 MOSFET 图片 Toshiba 推出用于高能效功率 MOSFET 的下一代超级结 (SJ) 深沟槽半导体技术。与以前的 DTMOS IV MOSFET 相比，基于新的 DTMOS V 工艺的器件具有更低的 EMI 噪声，并降低了导通电阻 (RDS(ON))。

与以前的 DTMOS IV 半导体技术一样，DTMOS V 技术基于单一外延工艺，涉及“深沟槽蚀刻”，后跟 P 型外延生长。与更传统的平面过程相比，深沟槽填充过程导致单元间距变窄和 RDS(ON) 降低。与使用多外延生长工艺的传统超级结 MOSFET 相比，Toshiba 的深沟槽工艺可以提高 RDS(ON) 的热系数。

与 TK12P60W DTMOS IV MOSFET 技术提供的最低 RDS(ON) 相比，Toshiba 能够使用 DTMOS V 技术将 DPAK TK290P60Y 的 RDS(ON) 降低 17%。该公司还进一步优化了开关性能与 EMI 噪声之间的平衡。

DTMOS V MOSFET 简化了设计并提高了功率转换应用的性能，包括开关电源、功率因数校正（PFC）设计、LED 照明和其他 AC/DC 应用。第一款基于第五代工艺的 MOSFET 提供 600 V 和 650 V 额定值，并采用 DPAK (TO-252) 和 TO-220SIS（智能隔离）封装。最大导通电阻额定值范围仅为 0.29 Ω 到 0.56 Ω。

特性
  • 与以前的 DTMOS IV 技术相比，RDS(ON)（漏源导通电阻）降低了 17%
  • 0.29 Ω 至 0.56 Ω 导通电阻产品系列
  • 不同封装选择：将采用两种封装（DPAK，TO-220SIS）
应用
  • 服务器
  • 基站或其他设备的开关电源
  • 光伏逆变器

MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SISTK290A60Y,S4XMOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS0 - 立即发货$9.64查看详情
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SISTK290A65Y,S4XMOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS0 - 立即发货$21.25查看详情
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAKTK290P60Y,RQMOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK3958 - 立即发货$19.37查看详情
MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAKTK290P65Y,RQMOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK3976 - 立即发货$21.25查看详情
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SISTK380A60Y,S4XMOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS43 - 立即发货$15.22查看详情
MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAKTK380P60Y,RQMOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK2000 - 立即发货$17.58查看详情
MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAKTK380P65Y,RQMOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK2031 - 立即发货$19.37查看详情
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SISTK560A60Y,S4XMOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS50 - 立即发货$16.44查看详情
MOSFET N-CH 650V 7A TO220SISTK560A65Y,S4XMOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS5 - 立即发货$18.07查看详情
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAKTK560P60Y,RQMOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK5557 - 立即发货$15.79查看详情
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAKTK560P65Y,RQMOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK4844 - 立即发货$14.81查看详情
发布日期： 2017-07-19