Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

650 V TO-220 N 沟道 DTMOS VI 系列功率 MOSFET

Toshiba 的功率 MOSFET 有助于提高电源效率

Toshiba 的 650V TO-220 N 沟道 DTMOS VI 系列功率 MOSFET 图片Toshiba 的 DTMOS VI 系列 650 V 超结结构 N 沟道功率 MOSFET 专为数据中心工业设备中的开关电源，以及光伏 (PV) 发电机中的功率调节器等应用而设计。

这一代的最新产品采用行业标准的 TO-220 封装，尺寸为 10.167 mm x 13.9 mm x 2.74 mm。

与当前的 Toshiba DTMOS IV-H 系列相比，DTMOS VI 系列将品质因数（漏源导通电阻 x 栅漏电荷）降低了约 40%。这可以将开关电源的效率提高约 0.36%。

特性
  • 开关电源效率更高
  • TO-220 封装的通孔型
应用
  • 工业电机驱动
  • 电池充电器
  • AC/DC 或 DC/DC 转换器
  • 功率因数校正电路
  • 储能系统
  • 太阳能
  • 不间断电源

650 V TO-220 N-Channel DTMOS VI Series Power MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
650V DTMOS VI TO-220 90MOHMTK090E65Z,S1X650V DTMOS VI TO-220 90MOHM61 - 立即发货
1 : ¥51.69
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650V DTMOS VI TO-220 110MOHMTK110E65Z,S1X650V DTMOS VI TO-220 110MOHM50 - 立即发货
1 : ¥44.49
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650V DTMOS VI TO-220 155MOHMTK155E65Z,S1X650V DTMOS VI TO-220 155MOHM0 - 立即发货
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650V DTMOS VI TO-220 190MOHMTK190E65Z,S1X650V DTMOS VI TO-220 190MOHM103 - 立即发货
1 : ¥32.17
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发布日期： 2022-09-06