设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
LMG1020 5 V，7 A/5 A 低压侧 GaN 驱动器
Texas Instruments 的 LMG1020 栅极驱动器，具有 60 MHz/1 ns 速度，适用于 GaN 和逻辑电平硅功率晶体管
Texas Instruments 的 LMG1020 器件是一款单低压侧驱动器，设计用于在高速应用中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET，包括 LiDAR、飞行时间 (ToF)、人脸识别以及任何涉及低压侧驱动器的电源转换器。LMG1020 的设计简单，可实现 2.5 纳秒的极快传播延迟和 1 纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与 OUTH 和 OUTL 之间连接外部电阻器，可针对上拉和下拉边沿独立调节强度。
该驱动器可在过载或故障情况下提供欠压锁定 (UVLO) 和超温保护 (OTP)。
LMG1020 采用 0.8 mm×1.2 mm WCSP 封装可最大限度地降低栅极环路电感，并最大限度地提高高频应用中的功率密度。
特性
- 用于 GaN 和硅 FET 的低压侧、超快速栅极驱动器
- 最小 1 ns 输入脉冲宽度
- 工作频率高达 60 MHz
- 典型值 2.5 ns，最大 4.5 ns 传播延迟
- 典型值 400 ps上升和下降时间
- 7 A 峰值拉电流和 5 A 峰值灌电流
- 5 V 电源电压
- UVLO 和 OTP 保护
- 0.8 mm x 1.2 mm WCSP 封装
应用
- LIDAR
- ToF 激光驱动器
- 人脸识别
- E 级无线充电器
- VHF 谐振功率转换器
- GaN 基同步整流器
- 增强型现实
LMG1020 Low-Side GaN Driver
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 通道类型 | 驱动器数 | 栅极类型 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | LMG1020YFFT | IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA | 单路 | 1 | N 沟道，P 沟道 MOSFET | 1415 - 立即发货 | $51.18 | 查看详情 |
发布日期： 2018-09-26
